Институт теоретической физики им. Л.Д. Ландау


Российской академии наук

Леонид Александрович Фальковский

Ведущий научный сотрудник

Доктор физ.-мат. наук

Эл. почта:

Публикации

    1. L.A. Falkovsky, Peierls distortion and electron bands in phosphorus allotropes, Письма в ЖЭТФ, 103 (2), 113-118 (2016) [JETP Letters, 103(2), 106-111 (2016)], WoS: 000374066200006, Scopus: 2-s2.0-84962832710.
    2. L.A. Falkovsky, Effect of electron-phonon interactions on Raman line at ferromagnetic ordering, ЖЭТФ, 146(3), 657-662 (2014) [JETP 119(3), 579-583 (2014)]; arXiv:1403.5736, WoS: 000344179300026, Scopus: 2-s2.0-84909642475.
    3. Л.А. Фальковский, Теория Лифшица–Косевича и кулоновское взаимодействие в графене, Физика низких температур, 40(4), 439-443 (2014) [L.A. Falkovsky, The Lifshitz-Kosevich theory and Coulomb interaction in graphene, Low Temp. Phys., 40(4), 339-343 (2014)], WoS: 000336084400011, Scopus: 2-s2.0-84929583288.
    4. Л.А. Фальковский, Кулоновское взаимодействие и электронный вклад в термодинамику графена, Труды XVIII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника, Нижний Новгород, 10-14 марта 2014, Том 1, 103-104 (2014).
    5. L.A. Falkovsky, Structure and electron bands of phosphorus allotropes, arXiv:1406.7616.
    6. L.A. Falkovsky, Influence of ferromagnetic ordering on Raman scattering in CoS2, Phys. Rev. B 88, 155135 (2013) [5 pages]; arXiv:1308.3571, WoS: 000326273000001, Scopus: 2-s2.0-84887122051.
    7. L.A. Falkovsky, Magneto-optics of monolayer and bilayer graphene, Письма в ЖЭТФ, 97 (7), 496-505 (2013) [JETP Lett., 97(7), 429-438 (2013)]; arXiv:1303.5214, WoS: 000320475100011, Scopus: 2-s2.0-84879131237.
    8. L.A. Falkovsky, Thermodynamics of electron-hole liquids in graphene, Письма в ЖЭТФ, 98 (3), 183-186 (2013) [JETP Lett., 98(3), 161-164 (2013)]; arXiv:1304.3885, WoS: 000325631800008, Scopus: 2-s2.0-84885600392.
    9. A.Yu. Ozerin, L.A. Falkovsky, Berry phase, semiclassical quantization, and Landau levels, Phys. Rev. B 85, 205143 (2012) [5 pages]; arXiv:1203.0157, WoS: 000304526800008, Scopus: 2-s2.0-84861801538.
    10. Л.А. Фальковский, Динамические свойства графена, ЖЭТФ, 142(3), 560-573 (2012) [L.A. Falkovsky, Dynamic properties of graphene, JETP 115(3), 496-508 (2012)], WoS: 000310020700015, Scopus: 2-s2.0-84870900060.
    11. L.A. Falkovsky, Quantum magneto-optics of graphite family, ЖЭТФ, 142(6), 1309-1323 (2012) [JETP 115(6), 1151-1164 (2012)]; arXiv:1205.4952, WoS: 000313068000025, Scopus: 2-s2.0-84876915625.
    12. Л.А. Фальковский, Магнитооптика графеновых слоёв, Успехи физ. наук, 182(11), 1223–1228 (2012) [L.A. Falkovsky, Magnetooptics of graphene layers, Phys. Usp. 55(11), 1140–1145 (2012)], WoS: 000314808600012, Scopus: 2-s2.0-84873909734.
    13. Л.А. Фальковский, Квантовая магнитооптика и эффект Керра на графеновых слоях, В сб: Нанофизика и наноэлектроника: Труды XVI международного симпозиума, 12–16 марта 2012 г., Нижний Новгород. - Нижний Новгород: ИФМ РАН, 2012, Том 2, с.410-411.
    14. L.A. Falkovsky, Cyclotron resonance and Faraday rotation in graphite, Phys. Rev. B 83, 081107(R) (2011) [4 pages]; arXiv:1012.1965, WoS: 000287797000002, Scopus: 2-s2.0-79960973013.
    15. L.A. Falkovsky, Quantum magneto-optics of graphite with trigonal warping, Phys. Rev. B 84, 115414 (2011) [6 pages]; arXiv:1106.3401, WoS: 000294922400006, Scopus: 2-s2.0-80053585770.
    16. Л.А. Фальковский, Теория возмущений для гамильтониана, линейного по квазиимпульсу, Письма в ЖЭТФ, 94 (9), 783-787 (2011) [L.A. Falkovsky, Perturbation theory for a hamiltonian linear in quasimomentum, JETP Lett., 94(9), 723-727 (2011)], WoS: 000300146100012, Scopus: 2-s2.0-84855536402.
    17. Л.А. Фальковский, Оптика полупроводников с линейным электронным спектром, Физика низких темп., 37 (6), 603-608 (2011) [L.A. Falkovsky, Optics of semiconductors with a linear electron spectrum, Low Temp. Phys., 37(6), 480-484 (2011)], WoS: 000293794700006, Scopus: 2-s2.0-80051556561.
    18. Л.А. Фальковский, Квантовые осцилляции в перестраиваемом графеновом бислое, Физика низких темп., 37 (9-10), 1022-1027 (2011) [L.A. Falkovsky, Quantum oscillations in a tunable graphene bilayer, Low Temp. Phys., 37(9-10), 815-818 (2011)], WoS: 000298642000017, Scopus: 2-s2.0-84855266975.
    19. Л.А. Фальковский, Универсальная и анизотропная проводимость в графеновом семействе, В сб: Нанофизика и наноэлектроника: Труды XV международного симпозиума, 14–18 марта 2011 г., Нижний Новгород. - Нижний Новгород: ИФМ РАН, 2011, Том 1, с. 113-113.
    20. L.A. Falkovsky, Universal infrared conductivity of graphite, Phys. Rev. B 82, 073103 (2010) [4 pages]; arXiv:1006.2648, Scopus: 2-s2.0-77957585993.
    21. L.A. Falkovsky, Gate-tunable bandgap in bilayer graphene, ЖЭТФ, 137(2), 361-367 (2010) [JETP, 110(2), 319-324 (2010)]; arXiv:0908.3371, Scopus: 2-s2.0-77952029902.
    22. L.A. Falkovsky, Anisotropy of graphite optical conductivity, Письма в ЖЭТФ, 92 (5), 386-389 (2010) [JETP Lett., 92(5), 348-351 (2010)]; arXiv:1006.5190, Scopus: 2-s2.0-78549275460.
    23. Л.А. Фальковский, Оптика полупроводников с линейным электронным спектром, Труды XIV Межд. симпозиума “Нанофизика и наноэлектроника“ (15-19 марта 2010, Нижний Новгород), т.1, с. 158-159 (2010).
    24. L.A. Falkovsky, Replay to «Comment on ‘Screening in gated bilayer graphene’», arXiv:1011.5559.
    25. L.A. Falkovsky, InN dielectric function from the midinfrared to the visible range, Phys. Rev. B 79, 113203 (2009) [4 pages]; arXiv:0901.1514.
    26. L.A. Falkovsky, Screening in gated bilayer graphene, Phys. Rev. B 80, 113413 (2009) [4 pages]; arXiv:0905.1765.
    27. Л.А. Фальковский, Особенности диэлектрической функции InN в области прямого оптического перехода, Письма в ЖЭТФ, 89 (5), 274-278 (2009) [L.A. Falkovsky, Singularities of the dielectric function of InN in the region of a direct optical transition, JETP Lett., 89(5), 233-237 (2009)].
    28. L.A. Falkovsky, Optical properties of graphene, J. Phys.: Conf. Ser., 129, 012004 (2008); arXiv:0806.3663.
    29. L.A. Falkovsky, Symmetry constraints on phonon dispersion in graphene, Phys. Lett. A 372(31), 5189-5192 (2008); arXiv:0802.0912.
    30. L.A. Falkovsky, Features of interband absorption in the dielectric function of narrow-gap semiconductors, Phys. Rev. B 77, 193201 (2008); arXiv:0802.2007.
    31. Л.А. Фальковский, Оптические свойства допированных графеновых слоев, ЖЭТФ, 133(3), 663-669 (2008) [L.A. Falkovsky, Optical properties of doped graphene layers, JETP 106(3), 575-580 (2008)].
    32. Л.А. Фальковский, Оптические свойства графена и полупроводников типа A4B6, Успехи физ. наук, 178 (9), 923-934 (2008) [L.A. Falkovsky, Optical properties of graphene and IV–VI semiconductors, Phys.-Usp. 51(9), 887-897 (2008)].
    33. L.A. Falkovsky, Optical properties of graphene, International Conference on Theoretical Physics, Dubna-Nano 2008 (July 7-11, 2008). Book of abstracts, p.28.
    34. L.A. Falkovsky, Phonon dispersion in graphene, J. Acoust. Soc. Am. 123(5,Pt.2), 3453 (2008).
    35. А.Ф. Андреев, А.И. Буздин, А.А. Варламов, Ю.Х. Векилов, Л.П. Горьков, И.Е. Дзялошинский, Ю.М. Каган, С.И. Мухин, Ю.А. Осипьян, Л.П. Питаевский, С.М. Стишов, Л.А. Фальковский, Алексей Алексеевич Абрикосов (к 80-летию со дня рождения), Успехи физ. наук, 178 (6), 669-670 (2008) [A.F. Andreev, A.I. Buzdin, A.A. Varlamov, Yu.Kh. Vekilov, L.P. Gor’kov, I.E. Dzyaloshinskii, Yu.M. Kagan, S.I. Mukhin, Yu.A. Osip’yan, L.P. Pitaevskii, S.M. Stishov, L.A. Falkovsky, Aleksei Alekseevich Abrikosov (on his 80th birthday), Phys.-Usp., 51(6), 637-638 (2008)], WoS: 000260064600012.
    36. L.A. Falkovsky, A.A. Varlamov, Space-time dispersion of graphene conductivity, Eur. Phys. J. B 56 (4), 281-284 (2007); cond-mat/0606800.
    37. L.A. Falkovsky, Unusual field and temperature dependence of Hall effect in graphene, Phys. Rev. B 75, 033409 (2007) (4 pages); cond-mat/0611147.
    38. L.A. Falkovsky, S.S. Pershoguba, Optical far-infrared properties of graphene monolayer and multilayers, Phys. Rev. B 76, 153410 (2007) (4 pages); arXiv:0707.1386.
    39. L.A. Falkovsky, Phonon dispersion in graphene, ЖЭТФ, 132(2), 446-452 (2007) [JETP, 105(2), 397-403 (2007)]; cond-mat/0702409.
    40. V.A. Benderskii, L.A. Falkovsky, E.I. Kats, Loschmidt echo and stochastic-like quantum dynamics of nano-particles, Письма в ЖЭТФ, 86 (3), 249-252 (2007) [JETP Letters, 86(3), 221-224 (2007)]; arXiv:0706.2333.
    41. С.Н. Багаев, В.В. Бражкин, Ю.М. Каган, Л.В. Келдыш, Ю.А. Литвин, В.А. Матвеев, С.В. Попова, В.Н. Рыжов, В.А. Соменков, В.Б. Тимофеев, Л.А. Фальковский, Сергей Михайлович Стишов (к 70-летию со дня рождения), Успехи физ. наук, 177(12), 1387-1388 (2007) [S.N. Bagaev, V.V. Brazhkin, Yu.M. Kagan, L.V. Keldysh, Yu.A. Litvin, V.A. Matveev, S.V. Popova, V.N. Ryzhov, V.A Somenkov, V.B. Timofeev, L.A. Falkovsky, PERSONALIA: Sergei Mikhailovich Stishov (on his 70th birthday), Phys.-Usp. 50(12), 1287-1288 (2007)].
    42. L.A. Falkovsky, Disorder effects on the Raman line shape in ZrO2, ЖЭТФ, 129(1), 177-182 (2006) [JETP, 102(1), 155-159 (2006)]; cond-mat/0509534.
    43. L.A. Falkovsky, E.G. Mishchenko, Infrared absorption and Raman scattering on coupled plasmon-phonon modes in superlattices, ЖЭТФ, 129(4), 751-760 (2006) [JETP, 102(4), 661-670 (2006)]; cond-mat/0510784.
    44. Л.А. Фальковский, Е.Ж. Мищенко, Фонон-плазмонные связанные моды в гетеро-сверхрешетках, Письма в ЖЭТФ, 82 (2), 103-107 (2005) [L.A. Falkovsky, E.G. Mishchenko, Phonon-plasmon coupled modes in hetero-superlattices, JETP Lett., 82(2), 96-100 (2005)].
    45. L.A. Falkovsky, Effect of Raman scattering by coupled phonon-plasmon modes in magnetic fields, Phys. Rev. B 70, 054301 (2004) [8 pages].
    46. Л.А. Фальковский, Фонон-плазмонные моды в сильном магнитном поле, Письма в ЖЭТФ, 79 (1), 50-53 (2004) [L.A. Falkovsky, Phonon-plasmon modes in a strong magnetic field, JETP Lett., 79 (1), 44-47 (2004)].
    47. Л.А. Фальковский, Рамановские исследования полупроводников с дефектами, Успехи физ. наук, 174 (3), 259-283 (2004) [L.A. Falkovsky, Investigation of semiconductors with defects using Raman scattering, Phys. Usp. 47 (3), 249-272 (2004)].
    48. L.A. Falkovsky, Raman Scattering by Coupled Phonon-Plasmon Modes, Mater. Sci. Forum, Vol. 457-460 (Pt.1), 613-616 (2004) [Silicon Carbide and Related Materials 2003 (ICSCRM 2003): Proc. 10th Int. Conf., Lyon, France, October 5-10, 2003, Ed. by Roland Madar, Jean Camassel and Elisabeth Blanquet, 1548 pp in 2-Vol. set, ISBN 0-87849-943-1].
    49. L.A. Falkovsky, Raman scattering on phonon-plasmon coupled modes in magnetic fields, cond-mat/0403044.
    50. Л.А. Фальковский, Затухание фонон-плазмонных мод, ЖЭТФ, 123(2), 378-383 (2003) [L.A. Falkovsky, Damping of coupled phonon-plasmon modes, JETP, 96 (2), 335-339 (2003)]; cond-mat/0211040.
    51. L.A. Falkovsky, Electron-phonon interaction and coupled phonon-plasmon modes, ЖЭТФ, 124(4), 886-897 (2003) [JETP, 97 (4), 794-805 (2003)]; cond-mat/0303503.
    52. L.A. Falkovsky, Effect of electron-phonon interaction on the shift and attenuation of optical phonons, Phys. Rev. B 66, 020302(R) (2002) [4 pages]; cond-mat/0203112.
    53. Л.А. Фальковский, Сдвиг и затухание оптических фононов вследствие взаимодействия с электронами, ЖЭТФ, 122(2), 411-418 (2002) [L.A. Falkovsky, Shift and damping of optical phonons caused by interaction with electrons, JETP, 95(2), 354-360 (2002)].
    54. A. Leycuras, O. Tottereau, P. Vicente, L.A. Falkovsky, P. Girard, J. Camassel, Full Si Wafer Conversion into Bulk 3C-SiC, Mater. Sci. Forum, Vol. 389-393 (Pt.1), 147-150 (2002) [Silicon Carbide and Related Materials 2001 (ICSCRM 2001): Proc. Int. Conf., Fall of 2001, Tsukuba, Japan, Ed. by S. Yoshida, S. Nishino, H. Harima and T. Kimoto, 1760 pp, 2-vol. set, ISBN 0-87849-894-X)].
    55. J. Camassel, L.A. Falkovsky, N. Planes, Strain effect in silicon-on-insulator materials: Investigation with optical phonons, Phys. Rev. B 63, 035309 (2001) [11 pages]; cond-mat/0009459.
    56. L.A. Falkovsky, Width of optical phonons: Influence of defects of various geometry, Phys. Rev. B 64, 024301 (2001) [6 pages].
    57. L.A. Falkovsky, Coulomb effects in dynamics of polar lattices, ЖЭТФ, 119(5), 966-970 (2001) [JETP, 92(5), 840-843 (2001)]; cond-mat/0101050.
    58. H.W. Kunert, T.P. Maurice, T. Hauser, J.B. Malherbe, L.C. Prinsloo, D.J. Brink, L.A. Falkovsky, J. Camassel, Effects of Hydrogen Implantation and Annealing on the Vibrational Properties of 6H-SiC, Mater. Sci. Forum, Vol. 353-356, 275-278 (2001) [Silicon Carbide and Related Materials 2000: Proc. ECSCRM2000: 3rd European Conference, Kloster Banz, Germany, Sept. 3-7, 2000, Ed. by G. Pensl, D. Stephani and M. Hundhausen, 860 pp., ISBN 0-87849-873-7].
    59. J. Camassel, P. Vicente, L. Falkovski, Optical Characterization of SiC Materials: Bulk and Implanted Layers, Mater. Sci. Forum, Vol. 353-356, 335-340 (2001) [Silicon Carbide and Related Materials 2000: Proc. 3rd European Conference ECSCRM2000, Kloster Banz, Germany, Sept. 3-7, 2000. Ed. by G. Pensl, D. Stephani and M. Hundhausen, 860 pp., ISBN 0-87849-873-7].
    60. L.A. Falkovsky, Width of phonon states on defects of various dimensions, cond-mat/0101086.
    61. L.A. Falkovsky, J. Camassel, Disorder effect on optical phonons, Physica B 284-288 (Pt.2), 1145-1146 (2000).
    62. Л.А. Фальковский, Локализованные состояния фононов у границы непрерывного спектра, ЖЭТФ, 117(4), 735-742 (2000) [L.A. Falkovsky, Localized phonon states at the edge of the continuous spectrum, JETP, 90 (4), 639-645 (2000)].
    63. Л.А. Фальковский, Резонансное взаимодействие фононов с локализованными состояниями, Письма в ЖЭТФ, 71 (4), 225-229 (2000) [L.A. Falkovsky, Resonance interaction of optical phonons with localized states, JETP Lett., 71 (4), 155-159 (2000)].
    64. N. Planes, H. Möller, J. Camassel, Y. Stoimenos, L. Falkovski, M. Eickhoff, G. Krötz, SOL thinning effects on 3C-SiC on SOI, Mater. Sci. Forum, Vol. 338-342, 301-304 (2000) [Silicon Carbide and Related Materials - 1999 (ICSCRM’99): Proc. Int. Conf., October 10-15, 1999, Research Triangle Park, North Carolina. Edited by: C.H. Carter,Jr., R.P. Devaty, and G.S. Rohrer, Trans Tech. Publ., 2000].
    65. L.A. Falkovsky, Interaction of optical phonons with anisotropic defects, Proc. 25th Int. Conf. on the Physics of Semiconductors (ICPS25), Osaka, Japan, September 17-22, 2000.
    66. J. Camassel, N. Planes, L. Falkovsky, H. Möller, M. Eickhoff, G. Krötz, SOL thickness dependence of residual strain in SOI material, Electron. Lett., 35(15), 1284-1286 (1999).
    67. L.A. Falkovsky, E.G. Mishchenko, Electron-lattice kinetics of metals heated by ultrashort laser pulses, ЖЭТФ, 115(1), 149-157 (1999) [JETP, 88(1), 84-88 (1999)]; cond-mat/9902009.
    68. Л.А. Фальковский, J. Camassel, Сильные и слабые моды в политипах SiC, Письма в ЖЭТФ, 69 (3), 247-250 (1999) [L.A. Fal’kovskii, J. Camassel, Strong and weak modes in polytypes of SiC, JETP Lett., 69 (3), 268-272 (1999)].
    69. J. Camassel, N. Planes, L. Falkovsky, H. Möller, M. Eickhoff, G. Krötz, Strain and Strain Relaxation in SOI Vaterials, Proc. V Int. Symposium on Semiconductor Wafer Bonding: Science, Technology and Applications, Oct. 1999, Honolulu, Hawaii, p.40-47. (Ed. by C.E. Hunt et al, Pennington, NJ : Electrochemical Society, 2001, x+480 pp. ISBN 1566772583).
    70. L.A. Falkovsky, J.M. Bluet, J. Camassel, Strain relaxation at the 3C-SiC/Si interface: Raman scattering experiments, Phys. Rev. B 57(18), 11283-11294 (1998).
    71. L.A. Falkovsky, W. Knap, J.C. Chervin, P. Wisniewski, Phonon modes and metal-insulator transition in GaN crystals under pressure, Phys. Rev. B 57(18), 11349-11355 (1998).
    72. J.M. Bluet, L.A. Falkovsky, N. Planes, J. Camassel, Raman Investigation of Stress Relaxation at the 3C-SiC/Si Interface, Mater. Sci. Forum, Vol. 264-268 (Pt.1), 395-398 (1998) [Silicon Carbide, III-Nitrides and Related Materials. Proc. 7th Int. Conf. ICSCIII-N'97, 31 Aug - 5 Sept 1997, Stockholm, Sweden. Edited by: G. Pensl, H. Morkoç, B. Monemar and E. Janzén. Trans Tech Publ., 1998].
    73. L.A. Falkovsky, Nonequilibrium electron-phonon systems, Proc. XXXI Low Temperature Conference, Moscow, December 2-3, 1998, p.126-127.
    74. L.A. Falkovsky, S. Klama, Fano resonance in a coupled electron-phonon system, Acta Physica Polonica A 91 (2), 347-350 (1997).
    75. J.M. Bluet, J. Camassel, L.A. Falkovsky, A. Leycuras, Optical investigation of thick 3C-SiC layers deposited on bulk silicon by CVD, Diamond and Related Materials, 6(10), 1385-1387 (1997).
    76. L.A. Falkovsky, J.M. Bluet, J. Camassel, Strain-fluctuation effect on Raman spectra, Phys. Rev. B 55(22), R14697-R14700 (1997).
    77. L.A. Falkovsky, S. Klama, Inelastic light scattering by electrons and plasmons in metals, ЖЭТФ, 112(2), 679-689 (1997); Errata - ibid, 112(6), 2263 (1997) [JETP, 85(2), 370-375 (1997); Errata - ibid, 85(6), 1239 (1997)].
    78. L.A. Falkovsky, E.G. Mishchenko, Lattice deformation from interaction with electrons heated by an ultrashort laser pulse, Письма в ЖЭТФ, 66 (3), 195-199 (1997) [JETP Lett., 66 (3), 208-213 (1997)].
    79. L.A. Falkovsky, Interaction of optical phonons with anisotropic imperfections, Письма в ЖЭТФ, 66(12), 817-822 (1997) [JETP Lett., 66(12), 860-867 (1997)].
    80. L.A. Falkovsky, S. Klama, Fano resonance and surface effect in a coupled electron-phonon system, Czech. J. Phys., 46, Suppl. S2, 975-976 (1996).
    81. L.A. Falkovsky, S. Klama, Integral relations and symmetry group expansions for the Helmholtz equation, J. Phys. A 29(17), 5627-5635 (1996).
    82. L.A. Falkovsky, S. Klama, Fluctuations in coupled electron-phonon system and Raman light scattering, Physica C 264 (1-2), 1-10 (1996).
    83. С.И. Анисимов, С.А. Булгадаев, Г.Е. Воловик, В.Е. Захаров, А.И. Ларкин, В.П. Минеев, Ю.Н. Овчинников, Ю.А. Осипьян, Л.П. Питаевский, Л.А. Фальковский, И.М. Халатников, Памяти Владимира Ивановича Мельникова, Успехи физ. наук, 166 (8), 915-916 (1996) [S.I. Anisimov, S.A. Bulgadaev, G.E. Volovik, V.E. Zakharov, A.I. Larkin, V.P. Mineev, Yu.N. Ovchinnikov, Yu.A. Osip’yan, L.P. Pitaevskii, L.A. Fal’kovskii, I.M. Khalatnikov, In memory of Vladimir Ivanovich Mel'nikov, Phys.-Usp. 39(8) 859-860 (1996)], WoS: A1996VH30900010.
    84. L.A. Falkovsky, S. Klama, Surface electronic fluctuations in metals, J. Magn. Magn. Mat., 140-144 (Pt.1), 677-678 (1995).
    85. L.A. Falkovsky, E.G. Mishchenko, Surface excitations in metals: Brillouin and Raman light scattering, Phys. Rev. B 51(11), 7239-7249 (1995).
    86. Е.Ж. Мищенко, Л.А. Фальковский, Длинноволновые оптические фононы: затухание, поверхностные колебания и рамановское рассеяние, ЖЭТФ, 107 (3), 936-950 (1995) [E.Zh. Mishchenko, L.A. Fal’kovskii, Long-wavelength optical phonons: damping, surface oscillations, and Raman scattering, JETP, 80(3), 531-538 (1995)].
    87. L.A. Falkovsky, E.G. Mishchenko, Inelastic light scattering at metal-insulator transition: ripple and elasto-optic mechanisms, Письма в ЖЭТФ, 61 (8), 678-683 (1995) [JETP Lett., 61 (8), 699-705 (1995)].
    88. Л.А. Фальковский, Резонанс Фано в системе взаимодействующих электронов и фононов, Письма в ЖЭТФ, 62 (3), 227-230 (1995) [L.A. Fal’kovskiǐ, Fano resonance in a system of interacting electrons and phonons, JETP Lett., 62 (3), 242-246 (1995)].
    89. L.A. Falkovsky, S. Klama, Temperature-dependence of the electron Raman light-scattering in normal metals and superconductors, Acta Physica Polonica A 85 (2), 311-315 (1994).
    90. L.A. Falkovsky, S. Klama, Energy spectrum of edge states of a quantum dot in an external magnetic field, Phys. Lett. A 190 (3-4), 341-344 (1994).
    91. L.A. Falkovsky, S. Klama, Surface electronic fluctuations in metals and Raman light scattering, Phys. Rev. B 50 (8), 5666-5675 (1994).
    92. L.A. Falkovsky, S. Klama, Surface electronic fluctuations in metals and Raman light scattering, Physica C 235-240 (Pt.2), 1113-1114 (1994).
    93. L.A. Falkovsky, S. Klama, Surface electronic fluctuations in metals, Письма в ЖЭТФ, 59 (2), 127-132 (1994) [JETP Lett., 59 (2), 135-141 (1994)].
    94. L.A. Falkovsky, E.G. Mishchenko, Theory of electronic Brillouin scattering in metals, Письма в ЖЭТФ, 59(10), 687-692 (1994) [JETP Lett., 59(10), 726-732 (1994)].
    95. С. Клама, Л.А. Фальковский, О связи представлений групп 3-мерных вращений и винтовых трансляций для уравнения Гельмгольца, Успехи мат. наук, 49:4(298), 165–166 (1994); Errata — ibid, 49:6(300), 217 (1994) [S Klama, L.A. Fal’kovskii, On the connection between representations of groups of 3-dimensional rotations and helical translations for the Helmholtz equation, Russ. Math. Surv., 49(4), 163–164 (1994)].
    96. L.A. Falkovsky, S. Klama, Broadening of electron states in a quantum dot with a rough boundary in an external magnetic field, J. Phys.: Cond. Mat., 5(26), 4491-4504 (1993).
    97. Л.А. Фальковский, Электронное неупругое рассеяние света в сверхпроводнике и нормальном металле с примесями, ЖЭТФ, 103 (2), 666-679 (1993) [L.A. Falkovsky, Inelastic electronic light scattering in superconducting and normal metals with impurities, JETP 76(2), 331-336 (1993)].
    98. С. Кляма, Л.А. Фальковский, Электронное рассеяние света в сверхпроводниках при конечной температуре, ЖЭТФ, 100 (2), 625-634 (1991) [S. Klyama, L.A. Fal’kovskii, Scattering of light by electrons in superconductors at finite temperature, Sov. Phys. JETP 73(2), 346-351 (1991)].
    99. Л.А. Фальковский, Электронное неупругое рассеяние света в поглощающей среде, ЖЭТФ, 100 (6), 2045-2052 (1991) [L.A. Fal’kovskii, Electronic inelastic scattering of light in an absorbing medium, Sov. Phys. JETP 73(6), 1134-1138 (1991)].
    100. Л.К. Водопьянов, Л.А. Фальковский, С. Хименис, С. Ирвин, Комбинационное рассеяние света в вырожденном полупроводнике (Pb, Sn)Se, Письма в ЖЭТФ, 53(11), 561-565 (1991) [L.K. Vodop’yanov, L.A. Fal’kovskii, J. Irvin, S. Himenis, Raman scattering of light in a degenerate (Pb, Sn) Se semiconductor, JETP Lett., 53(11), 586-590 (1991)].
    101. A.A. Maksimov, I.I. Tartakovskii, L.A. Fal’kovskii, V.B. Timofeev, Electron light scattering in superconducting single crystals of Tl2Ba2CaCu2O8, Annals N.Y. Acad. Sci., 581, 37-43 (1990) [Frontiers in Condensed Matter Theory: Proceedings of a US-USSR Conference, , New York, USA, 2 Jul 1990].
    102. A.A. Abrikosov, L.A. Falkovsky, The normal state electron spectrum of CuO2 planes in HTSC, Physica C 168 (5-6), 556-564 (1990).
    103. L.A. Falkovsky, S. Klama, Electronic Raman light scattering in zero-gap anisotropic superconductors, Physica C 172 (3-4), 242-252 (1990).
    104. А.А. Максимов, И.И. Тартаковский, В.Б. Тимофеев, Л.А. Фальковский, Электронное рассеяние света в сверхпроводящих монокристаллах Tl2Ba2CaCu2O8, ЖЭТФ, 97 (3), 1047-1059 (1990) [A.A. Maksimov, I.I. Tartakovskii, V.B. Timofeev, L.A. Fal’kovskii, Electron scattering of light in superconducting Tl2Ba2CaCu2O8 single crystals, Sov. Phys. JETP 70(3), 588-594 (1990)].
    105. Л.А. Фальковский, Электронное рассеяние света в сверхпроводниках, Успехи физ. наук, 160 (4), 71-75 (1990) [L.A. Fal’kovskiĭ, Electron scattering of light in superconductors, Sov. Phys. Usp. 33(4), 296-298 (1990)].
    106. A.A. Maksimov, I.I. Tartakovskii, L.A. Fal’kovskiǐ, V.B. Timofeev, Electron light scattering in superconducting single crystals of Tl2Ba2CaCu2O8, AIP Conf. Proc., 213, 37-43 (1990).
    107. A.A. Abrikosov, L.A. Falkovsky, Raman light scattering by electrons in superconductors with a small correlation length, Physica Scripta, T27, 96-98 (1989).
    108. Л.А. Фальковский, Комбинационное рассеяние света электронами в металле с примесями, ЖЭТФ, 95 (3), 1146-1151 (1989) [L.A. Fal’kovskii, Raman scattering of light by electrons in a metal with impurities, Sov. Phys. JETP 68(3), 661-663 (1989)].
    109. А.А. Абрикосов, Л.А. Фальковский, Электронный спектр и диэлектризация в оксидных слоях, Письма в ЖЭТФ, 49 (8), 463-465 (1989) [A.A. Abrikosov, L.A. Fal’kovskiǐ, Electron spectrum and insulator transition in oxide layers, JETP Lett., 49 (8), 531-535 (1989)].
    110. A.A. Abrikosov, L.A. Falkovsky, Electron spectrum and insulator transition in oxide layers, Proc. 5th Int. School on Condensed Matter Physics: Disordered Systems and New Materials, Varna, Bulgaria, 19 Sep 1988, pp.729-734. Edited by M. Borissov, N. Kirov, A. Vavrek. World Scientific, 1989, xiv+930 pp.
    111. A.A. Abrikosov, L.A. Falkovsky, Electronic Raman light scattering in superconductors with a short correlation length, Physica C 156 (1), 1-11 (1988).
    112. L.A. Falkovsky, S. Klama, Broadening of electron states in a thin film with a rough surface in an external longitudinal magnetic field, J. Phys. C 20(11), 1751-1764 (1987).
    113. Л.А. Фальковский, Гибридизация s-, p- и d-состояний в квазикубических веществах, Письма в ЖЭТФ, 45 (6), 291-294 (1987) [L.A. Fal’kovskiǐ, Hybridization of s, p, and d states in quasicubic materials, JETP Lett., 45 (6), 366-369 (1987)].
    114. А.А. Абрикосов, Л.А. Фальковский, Рамановское рассеяние света электронами в сверхпроводниках с малой корреляционной длиной, Письма в ЖЭТФ, 46 (6), 236-238 (1987) [A.A. Abrikosov, L.A. Fal’kovskiǐ, Raman scattering of light by electrons in superconductors with a small correlation length, JETP Lett., 46 (6), 298-302 (1987)].
    115. L.A. Falkovsky, S. Klama, Electronic states of rough thin films in a magnetic field, Proc. VI Symposium "Physics of metals", Wroclaw, 1987, 46-47.
    116. Л.А. Фальковский, Происхождение электронных спектров полуметаллов V группы, Успехи физ. наук, 149 (2), 336-339 (1986) [L.A. Fal’kovskiĭ, The origin of electron spectra of group V semimetals, Sov. Phys. Usp. 29(6), 577-579 (1986)].
    117. Л.А. Фальковский, Особенности электронного энергетического спектра сурьмы, Физика тверд. тела, 28 (1), 270-272 (1986) [L.A. Fal’kovskii, Characteristic features of the electronic energy spectrum of antimony, Sov. Phys. Solid State 28(1), 146-147 (1986)].
    118. Е.А. Дорофеев, Л.А. Фальковский, Электронная структура висмута. Теория и эксперимент, ЖЭТФ, 87 (6), 2202-2213 (1984) [A.E. Dorofeev, L.A. Fal’kovskii, Electron structure of bismuth. Theory and experiment, Sov. Phys. JETP, 60(6),1273-1279 (1984)].
    119. L.A. Falkovsky, Transport phenomena at metal surfaces, Adv. Physics, 32 (5), 753-789 (1983).
    120. Б.А. Волков, Л.А. Фальковский, Электронная структура полуметаллов группы V, ЖЭТФ, 85 (6), 2135-2151 (1983) [B.A. Volkov, L.A. Fal’kovskii, Electronic structure of group-V semimetals, Sov. Phys. JETP, 58(6), 1239-1248 (1983)].
    121. Л.А. Фальковский, Кинетические явления у поверхности металла, Поверхность: Физика, химия, механика, № 7, 13-25 (1982).
    122. Л.А. Фальковский, Высокочастотная проводимость неидеальной поверхности в магнитном поле, Физика низких темп., 8(11), 1167-1175 (1982) [L.A. Fal’kovskii, High-frequency electrical conductivity of a nonideal surface in a magnetic field, Sov. J. Low Temp. Phys. 8(11), 590-594 (1982)].
    123. L. Falkovsky, Theory of magnetic susceptibility of narrow gap semiconductors, Lect. Notes Phys., 152, 335-339 (1982) [Physics of Narrow Gap Semiconductors: Proc. 4th Int. Conf., Linz, Austria, 14-17 Sep. 1981. Ed. by E. Gornik, H. Heinrich, L. Palmetshofer. Springer, 1982, xi,485 pp. ISBN: 978-3-540-11191-7].
    124. Л.А. Фальковский, А.В. Бродовой, Г.В. Лашкарев, Магнитная восприимчивость узкощелевых полупроводников, ЖЭТФ, 80 (1), 334-348 (1981) [L.A. Fal’kovskii, A.V. Brodovoi, G.V. Lashkarev, Magnetic susceptibility of narrow-gap semiconductors, Sov. Phys. JETP 53(1), 170-177 (1981)].
    125. Л.А. Фальковский, Аномальный скин-эффект на шероховатой поверхности в магнитном поле, ЖЭТФ, 80 (2), 775-786 (1981) [L.A. Fal’kovskii, Anomalous skin effect on a rough surface in a magnetic field, Sov. Phys. JETP 53(2), 391-397 (1981)].
    126. L.A. Falkovsky, Theory of magnetic susceptibility of the narrow-gap semiconductors Pb(Sn)Te, Phys. Lett. A 78 (2), 172-174 (1980).
    127. Е.И. Уразаков, Л.А. Фальковский, Аномальное прохождение звука через шероховатую поверхность твердого тела, ЖЭТФ, 79 (1), 261-267 (1980) [E.I. Urazakov, L.A. Fal’kovskiǐ, Anomalous passage of sound through a rough surface of a solid, Sov. Phys. JETP 52(1), 132-135 (1980)].
    128. L.A. Falkovskii, Magnetic properties of narrow gap semiconductors, Lect. Notes Phys., 133, 266-281 (1980) [Narrow Gap Semiconductors, Physics and Applications. Proc. Int. Summer School on Narrow Gap Semiconductors, Physics and Applications. Nimes, France, 3-15 Sep 1979. Ed. by W. Zawadzki, Springer-Verlag, 1980, x+572 pp].
    129. L.A. Falkovsky, Conductivity of thin metal slabs with rough surfaces, J. Low Temp. Phys., 36 (5-6), 713-720 (1979); Erratum - ibid, 38(3-4), 535 (1980).
    130. Л.А. Фальковский, Граничное условие для функции распределения электронов, взаимодействующих с фононами, ЖЭТФ, 76 (4), 1358-1368 (1979) [L.A. Fal’kovskiǐ, Boundary-condition for the distribution function of electrons interacting with phonons, Sov. Phys. JETP 49(4), 691-696 (1979)].
    131. Е.И. Уразаков, Л.А. Фальковский, О влиянии поверхностных волн на отражение звука от шероховатой поверхности, ЖЭТФ, 77 (3), 1175-1182 (1979) [E.I. Urazakov, L.A. Fal’kovskiǐ, Effect of surface waves on the reflection of sound by a rough surface, Sov. Phys. JETP 50(3), 592-596 (1979)].
    132. Е.И. Уразаков, Л.А. Фальковский, Lovescher затухание упругих поверхностных волн на шероховатой поверхности, Изв. АН Каз. ССР, сер. физ.-мат, №5, 60-66 (1978).
    133. N.B. Brandt, M.V. Semenov, L.A. Falkovsky, Experiment and theory on the magnetic susceptibility of Bi-Sb alloys, J. Low Temp. Phys., 27 (1-2), 75-90 (1977).
    134. Л.А. Фальковский, О примесных состояниях в веществах с узкой запрещенной зоной, ЖЭТФ, 68 (4), 1529-1538 (1975) [L.A. Fal’kovskiǐ, Impurity states in substances with narrow energy gaps, Sov. Phys. JETP 41(4), 767-771 (1975)].
    135. С.Д. Бенеславский, Л.А. Фальковский, Особенности магнитной восприимчивости полуметаллов, ЖЭТФ, 69 (3), 1063-1071 (1975) [S.D. Beneslavskiǐ, L.A. Fal’kovskiǐ, Features of the magnetic susceptibility of semimetals, Sov. Phys. JETP 42(3), 541-545 (1975)].
    136. Л.А. Фальковский, О влиянии магнитного поля на примесные состояния в веществе с узкой запрещенной зоной, Физика тверд. тела, 17(10), 2849-2856 (1975) [L.A. Fal’kovskii, Effect of magnetic field on impurity states in a narrow-gap semiconductor, Sov. Phys. Solid State 17(10), 1905-1908 (1976)].
    137. L.A. Falkovsky, Theory of impurity states in Bi-Sb alloys, Proc. Int. Conference on Low Temperature Physics. Otaniemi, Finland, 14 Aug 1975, Vol.3, p.134-136. Ed. by M. Krusius, M. Vuorio, North-Holland, 1975, xiii+525 pp.
    138. S.D. Beneslavsky, L.A. Falkovsky, Theory of magnetic susceptibility of bismuth and its alloys with antimony, Preprint Landau ITP-19, 28.07.1975, 15pp.
    139. Л.А. Фальковский, О некоторых граничных задачах со случайной поверхностью, Успехи мат. наук, 29:3(177), 245–246 (1974).
    140. С.Д. Бенеславский, Л.А. Фальковский, Об инвертировании близких зон магнитным полем, Физика тверд. тела, 16 (5), 1360-1368 (1974) [S.D. Beneslavskii, L.A. Fal’kovskii, Inversion of bands separated by a narrow gap in magnetic fields, Sov. Phys. - Solid State, 16(5), 876-881 (1974)].
    141. А.А. Абрикосов, Л.А. Фальковский, Современная монография по физике твердого тела. Рецензия на книгу: Г.Л. Вир, Г.Е. Пикус. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках. М., «Наука» (Гл. ред. физ-мат. лит.), 1972, 584 с., Успехи физ. наук, 113 (4), 740 (1974).
    142. Л.А. Фальковский, О сопротивлении тонких металлических образцов, ЖЭТФ, 64 (5), 1855-1860 (1973) [L.A. Fal’kovskiǐ, The resistance of thin metallic samples, Sov. Phys. JETP 37(5), 937-939 (1973)].
    143. Е.И. Уразаков, Л.А. Фальковский, О распространении рэлеевской волны по шероховатой поверхности, ЖЭТФ, 63 (6), 2297-2303 (1972) [E.I. Urazakov, L.A. Fal’kovskiǐ, Propagation of a Rayleigh wave along a rough surface, Sov. Phys. JETP 36(6), 1214-1216 (1973)].
    144. А. Бланк, Л.А. Фальковский, Затухание магнитных поверхностных уровней в сверхпроводнике, ЖЭТФ, 60 (2), 797-805 (1971) [A.Ya. Blank, L.A. Fal’kovskiǐ, Damping of magnetic surface levels in superconductors, Sov. Phys. JETP 33(2), 431-435 (1971)].
    145. Л.А. Фальковский, Скин-эффект на шероховатой поверхности, ЖЭТФ, 60 (2), 838-845 (1971) [L.A. Fal’kovskiǐ, Skin effect on a rough surface, Sov. Phys. JETP 33(2), 454-457 (1971)].
    146. Л.А. Фальковский, Плотность и затухание поверхностных магнитных состояний, ЖЭТФ, 58 (5), 1830-1842 (1970) [L.A. Fal’kovskiǐ, Density Attenuation of Surface Magnetic States, Sov. Phys. JETP 31(5), 981-987 (1970)].
    147. Л.А. Фальковский, Восприимчивость и теплоемоксть металлической пластины, Письма в ЖЭТФ, 11 (3), 181-185 (1970) [L.A. Fal’kovskii, Susceptibility and Heat Capacity of a Metal Plate, JETP Lett., 11 (3), 111-114 (1970)].
    148. Л.А. Фальковский, Диффузное граничное условие для электронов проводимости, Письма в ЖЭТФ, 11 (4), 222-226 (1970) [L.A. Fal’kovskii, Diffuse Boundary Condition for Conduction Electrons, JETP Lett., 11 (4), 138-141 (1970)].
    149. В.Ф. Гантмахер, Л.А. Фальковский, В.С. Цой, Влияние магнитных поверхностных уровней на импеданс калия на радиочастотах, Письма в ЖЭТФ, 9 (4), 246-249 (1969) [V.F. Gantmakher, L.A. Fal’kovskiǐ, V.S. Tsoi, Influence of Magnetic Surface Levels on the Impedance of Potassium at Radio Frequencies, JETP Lett, 9(4), 144-146 (1969)].
    150. Л.А. Фальковский, Физические свойства висмута, Успехи физ. наук, 94 (1), 3-41 (1968) [L.A. Fal’kovskiǐ, Physical Properties of Bismuth, Sov. Physics Uspekhi, 11(1), 1-21 (1968)].
    151. Л.А. Фальковский, О влиянии деформации на электронный спектр висмута, ЖЭТФ, 53(6), 2164-2167 (1967) [L.A. Fal’kovskiǐ, Effect of deformation on the electron spectrum of bismuth, Sov. Phys. JETP 26(6), 1222-1224 (1968)].
    152. Л.А. Фальковский, Г.С. Разина, Электроны и дырки в висмуте, ЖЭТФ, 49(1), 265-274 (1965) [L.A. Fal’kovskiǐ, G.S. Razina, Electrons and Holes in Bismuth, Sov. Phys. JETP 22(1), 187-193 (1966)].
    153. Л.А. Фальковский, Квазиклассическое квантование электрона и дырок в висмуте в магнитном поле, ЖЭТФ, 49(2), 609-617 (1965) [L.A. Fal’kovskiǐ, Quasiclassical Quantization of Electrons and Holes in Bismuth in a Magnetic Field, Sov. Phys. JETP 22(2), 423-428 (1966)].
    154. Л.А. Фальковский, О распространении магнитоплазменных волн в пластине висмута, ЖЭТФ, 46 (5), 1820-1822 (1964) [L.A. Fal’kovskii, Propagation of magnetoplasma waves in a bismuth plate, Sov. Phys. JETP 19(5), 1226-1227 (1964)].
    155. Л.А. Фальковский, Теория электронных спектров металлов типа висмута в магнитном поле, ЖЭТФ, 44 (5?), 1935-1940 (1963); Errata — 45, 398 (1963) [L.A. Falkovskii, Theory of electron spectra of bismuth type metals in a magnetic field, Sov. Phys. JETP 17(6), 1302-1305 (1963)].
    156. М.С. Хайкин, Л.А. Фальковский, В.С. Эдельман, Р.Т. Мина, Свойства магнитоплазменных волн в монокристаллах висмута, ЖЭТФ, 45(6), 1704-1716 (1963) [M.S. Khaikin, L.A. Fal’kovskii, V.S. Edel’man, R.T. Mina, Properties of magnetoplasma waves in bismuth single crystal, Sov. Phys. JETP 18(5), 1167-1175 (1964)].
    157. А.А. Абрикосов, Л.А. Фальковский, Теория элекронного энергетического спектра металла с решеткой висмута, ЖЭТФ, 43(3), 1089-1101 (1962) [A.A. Abrikosov, L.A. Falkovskiǐ, Theory of the Electron Energy Spectrum of Metals with a Bismuth Type Lattice, Sov. Phys. JETP 16(3), 769-777 (1963)].
    158. А.А. Абрикосов, Л.А. Фальковский, Комбинационное рассеяние света с сверхпроводниках, ЖЭТФ, 40(1), 262-270 (1961) [A.A. Abrikosov, L.A. Fal’kovskii, Raman scattering if light in superconductors, Sov. Phys. JETP 13(1), 179-184 (1961)].